什么是BSS84 MOSFET:引脚配置及其工作

p沟道增强模式类晶体管BSS84 MOSFET是由ON半导体公司利用DMOS技术和高细胞密度开发的。这个发展过程是非常高的，减少了−状态电阻&还提供快速切换，可靠和坚固的性能。

这种晶体管在大多数需要0.13 A直流电流的应用中使用较少，可以产生等于0.52 A的电流。这晶体管特别适用于低电压的应用。本文讨论了BSS84 MOSFET的概况、引脚配置、工作原理及其应用。

什么是BSS84 MOSFET?

BSS84是一种金属氧化物半导体场效应晶体管p通道增强模式。它主要设计用于不同的应用，如高速开关设备，计算，消费，工业和沟通应用程序。

这是一种扩散MOS(金属氧化物半导体)晶体管，由于快速开关特性，适用于使用高频的应用。这种MOSFET主要是为了降低状态电阻和保持更好的开关性能而设计的，因此它是功率管理和高效率应用的完美选择。

销的配置

BSS84 MOSFET是一个三端晶体管，每个引脚及其功能将在下面讨论。BSS84 MOSFET的引脚图如下图所示。

Pin1(排水):在这个晶体管的电流流动将贯穿源引脚&它通过漏极引脚出去。

Pin2(门):这个晶体管的激活和失活可以根据在栅极引脚上施加的电压来完成。

Pin3(来源):源引脚用于给晶体管供电。

功能和规格

BSS84 MOSFET的特点和规格如下。

• 这是一个p沟道和增强模式MOSFET
• 工作温度范围:55ºC ~ 150ºC
• 阈值电压过低
• 最大功耗为0.30W
• 高速开关
• 允许脉动漏极电流为-1.2A
• 接通电阻极低
• 连续漏极电流最大为-130mA
• 不差分解
• 门源电压最大值为±20V
• 可以直接与TTL和CMOS进行接口
• 漏源极电压最大值为-50V
• 小信号p通道开关，由电压控制
• 电池设计高密度低RDS(on)
• 饱和电流高
• 无铅无卤装置
• 适用于通过5V的所有逻辑家族
• 适用于较少的门驱动源
• 阈值电压过低
• 切换速度高
• 栅极(G)至源极(S)电压±20V
• 晶体管的极性是p沟道
• 漏极到源极的击穿电压为- 50v
• 栅极到源极的击穿电压为+/- 20v
• 不间断漏极电流为0.13 A
• 单一的配置
• 漏极到源极电阻如RDS (on)是10欧姆
• 卷包装
• 工作温度最高为+ 150℃
• 箱子或包装是SOT-23
• 安装方式为SMD或SMT
• 低输入电容
• 切换速度快
• 输入或输出泄漏低

等效的BSS84 mosfet是ZXMP2120FF, NDS332P, AO3401和IRLML6402

BSS84 MOSFET作为一种高速开关器件，取代了所有常用的开关器件晶体管这是在数字电路中使用的，因为它是通过高细胞密度方法专门设计的，用于高速开关应用。

这种晶体管是专为低电压应用而设计的。所以这个装置主要是在通过电池运行的系统中选择的。

这种设计可以通过一个特殊的设计程序来完成，从而在整个操作过程中极低的通断电阻。所以在某些应用中，电阻特性是一种条件。因此，这种晶体管被用于高效率的应用。

如何使用BSS84 MOSFET/电路图?

BSS84 MOSFET的简单应用电路如下图所示。这里，MOSFET主要用作开关器件马达用于电路作为负载工作。

MOSFET的栅极终端是由像“Vo”这样的电压信号切换而来的。这里的电压信号是微处理器/微控制器的输出。

给MOSFET的电源从负电源接收，如VDS = -10V。我们知道p沟道增强MOSFET的特性，

一旦在G(栅极)到S(源)交界处的电压供应不低于固定阈值电压时，晶体管就不工作。

整个漏极(D)的电流流量可以通过G(门)端上等于一个固定点的电压来决定。

因此，当栅极电压较低时，MOSFET的导通电阻较低，漏极电流较高。这种MOSFET只在栅(G)端存在负电压时执行，因此，栅电压被直接移除，然后MOSFET将停止工作。

因此，将同样的特性应用到这个应用电路中，以便理解。让我们考虑像' Vo '这样的电压信号没有给晶体管的栅端。因此，在这种情况下，晶体管将不作为一个最低负-2V电压需要在那里的门端激活设备。

当-5V门信号通过单片机在设定的时间，然后MOSFET将开始执行。因此，现在电流供应整个晶体管&这个电流流可以导致电压下降超过负载。所以这个电压降将接通负载。

电路中使用的负载是电机，它将持续旋转，直到微控制器负电压存在&像' Vo '的直流电压将达到0V，以停止电机的旋转。
因此，在上述应用中，BSS84被用作开关器件&在类似的方法中，我们可以在其他不同的电路中利用晶体管。

在哪里使用BSS84 MOSFET/应用

的BSS84 MOSFET的应用包括以下。

• 电源管理
• 工业、通信
• 网络
• 电脑
• 电脑外围设备
• 消费电子产品
• 通过电池运行的系统
• 切换应用程序
• 照明系统
• 信号放大器
• 电源管理功能
• 电话机内的线路电流中断器
• 班轮变压器驱动程序
• 负荷开关
• 保护电池
• 直流/直流转换器
• 电源管理控制
• 直流电机控制

因此，这是关于BSS84的概述MOSFET数据表其中包括其引脚配置、规格、特性、电路和应用。BSS84 MOSFET的主要优点主要包括:饱和电流高，DMOS技术，开关性能优越，高密度单元设计，小信号p通道开关由电压控制，性能可靠和坚固。这里有一个问题要问你，MOSFET的缺点是什么?