NPN和PNP晶体管之间的差异

晶体管PNP和NPN是BJT，它是一种基本的电气部件，用于各种各样的2021欧洲杯足球竞猜官方平台2021欧洲杯足球竞猜官方平台电气和电子电路建立项目。PNP和NPN晶体管的操作主要利用孔和电子。这些晶体管可用作放大器，开关和振荡器。在PNP晶体管中，大多数电荷载体是孔，其中大多数电荷载体是电子的。除了，FET只有一种充电载体。NPN和PNP晶体管之间的主要差异是，当电流流过晶体管的基站时，NPN晶体管获得功率。

在NPN晶体管中，电流的流量从集电极端子运行到发射极端子。当晶体管的基端没有电流流动时，PNP晶体管接通。在PNP晶体管中，电流的流动从发射极端电流运行到收集器端子。结果，PNP晶体管通过低信号接通，其中NPN晶体管通过高信号开启。

NPN和PNP晶体管之间的差异

主要区别NPN和PNP晶体管包括PNP和NPN晶体管，施工，工作及其应用的内容。

什么是PNP晶体管？

“PNP”一词代表正，负，阳性，也称为采购。PNP晶体管是BJT;在该晶体管中，字母'P'指定发射极端终端所需的电压的极性。第二个字母'n'指定基站终端的极性。在这种晶体管中，大部分电荷载体是孔。主要是，该晶体管与NPN晶体管一样。

用于构建该晶体管中的发射极（e），基（B）和收集器（C）终端的所需材料是从NPN晶体管中使用的那些不同的材料。该晶体管的BC端子恒定地反向偏置，然后应将电压用于收集器端子。因此，必须相对于发射器终端的PNP晶体管的基端，并且收集器终端必须比基座端子为 -

PNP晶体管结构

PNP晶体管结构如下所示。晶体管的主要特性是类似的，不同之处在于，对于可实现的3配置中的任何一个，即可逆转电流和电压方向的偏置即，即可用于共同的基础，公共发射极和公共集电极。

VBE（基极和发射极端子）之间的电压为-VES在发射极端子的基座端子和+ VE处。由于对于该晶体管，基座端子相对于发射极端终端恒定地偏置。而且，VBE相对于收集器VCE是正面的。

连接到该晶体管的电压源如上图所示。发射器端子与负载电阻'RL'连接到“VCC”。该电阻器停止电流流过设备，该装置与收集器端子相结合。

基准电压'Vb'连接到“RB”基电阻器，其相对于发射极终端偏置负极。为了通过PNP晶体管进行基准电流来流过PNP晶体管，晶体管的基极端子应比基本端子更负，通过大约0.7Volts（或）Si器件。

该PNP和NPN晶体管之间的主要差异是晶体管接头的正确偏置。电流的方向和电压极性彼此恒定地相反。

什么是NPN晶体管？

术语“NPN”代表负面，积极，负面，也称为下沉。NPN晶体管是BJT在该晶体管中，初始字母'n'规定了材料的带负电荷的涂层。其中，'p'指定完全充电的层。两个晶体管具有正层，其位于两个负层的中间。通常，NPN晶体管用于各种电路，用于切换并增强超过通过它们的信号。2021欧洲杯足球竞猜官方平台

NPN晶体管包括三个端子，如基座，发射极和集电极。这三个终端可用于将晶体管连接到电路板。当电流流过该晶体管时，晶体管的基极端端端将获得电信号。2021欧洲杯足球竞猜官方平台收集器终端创造了一个强电流强劲并且，发射极端子超过电路的更强电流。在PNP晶体管中，电流通过收集器运行到发射极端子。

通常，使用NPN晶体管，因为产生如此简单。对于NPN晶体管正常运行，需要从半导体对象创建，该半导体对象保持一些电流。但不是最大金属，如金属等极其导电材料。硅是半导体中最常使用的。这些晶体管是简单的晶体管，用于构建硅。

NPN晶体管用于计算机电路板上以将信息转换为二进制代码，并且该过程精通穿过电路板上翻转的多孔的微小开关。强大的电动信号扭转开关，虽然缺乏信号使得关闭。

NPN晶体管的构造

该晶体管的结构如下所示。晶体管基座处的电压是+ ve并在晶体管发射器端子处。晶体管的基极端子在相对于发射器的所有时间始终是正的，并且收集电压电源是相对于晶体管的发射极端子+ VE。在该晶体管中，收集器端子通过R1连接到VCC

该电阻限制了电流流过最高碱基电流。在NPN晶体管中，通过基座流过晶体管动作。该晶体管动作的主要特征是I / P和O / P电路之间的连接。因为，晶体管的放大特性来自所得控制的，所以基座利用收集器到发射器电流。

NPN晶体管是电流激活的装置。当晶体管接通时，巨大的电流IC在晶体管中的收集器和发射极端子之间提供。但是，只有当一个微小的偏置电流'IB'流过晶体管的基站时，才会发生。它是双极晶体管;电流是两个电流（IC / IB）的关系，命名为设备的直流电流增益。

它由“HFE”或这些天测试标明。对于典型的晶体管，Beta值最多可以巨大200。当NPN晶体管用于有源区时，基准电流'IB'提供I / P和集电极电流'IC'给出O / P。从C到EIS的NPN晶体管的当前增益称为α（IC / IE），并且它是晶体管本身的目的。由于IE（发射极限）是微小基电流和巨大的集电极电流的总和。Alpha的价值非常接近Unity，并且对于典型的低功率信号晶体管，值范围为约0.950- 0.999。

主要PNP和NPN之间的差异

PNP和NPN晶体管是三个端子装置，其由掺杂材料构成，经常用于开关和放大应用。有一个组合的PN结二极管在每一个双极结晶体管。当几个二极管连接时，它塑造了一个三明治。那种座椅在类似的两种类型中间的半导体。

因此，只有两种双极三明治，即PNP＆NPN。在半导体器件中，NPN晶体管通常具有高电子迁移率，评估了孔的迁移率。因此，它允许大量的电流和工作非常快。而且，该晶体管的结构简单来自硅。

• 两种晶体管都收集特殊材料，并且这些晶体管中的电流流也不同。
• 在NPN晶体管中，流动电流从集电极端子运行到发射极端子，而在PNP中，电流的流量从发射器终端运行到收集器端子。
• PNP晶体管由两个p型材料层组成，具有N型夹层层。NPN晶体管由两个n型材料层组成，具有一层p型。
• 在NPN晶体管中，将A + VE电压设定为集电终端，以产生来自收集器的电流流。对于PNP晶体管，A + VE电压设置为发射极端子，以产生从发射器端子到收集器的电流流。
• 当电流增加到基座端子时，NPN晶体管的主工作原理，然后晶体管开启，并且它从收集器终端完全从集电极终端执行。
• 减少到基座的电流时，晶体管开启，电流流量如此之低。晶体管不再将收集器终端运行到发射极端子，然后关闭。
• 当电流存在于PNP晶体管的基座时，PNP晶体管的主要工作原理，然后晶体管关闭。当晶体管底部没有电流流动时，晶体管接通。

这是关于NPN和PNP晶体管之间的主要区别，用于设计电气和电子电路和各种应用。2021欧洲杯足球竞猜官方平台此外，有关这一概念或对此概念的任何疑问了解更多有关不同类型的晶体管配置，您可以通过评论下面的评论部分来提供您的建议。这是一个问题，哪个晶体管具有更高的电子迁移率？