p型半导体和n型半导体的区别
我们知道p型和n型半导体使用外部半导体。半导体的分类可以根据掺杂的纯度来进行,如内在和外在。产生这两种半导体之间主要差异的因素有很多。p型半导体材料的形成可以通过添加III族元素来实现。同样,n型半导体材料可以通过添加V组元素来形成。本文讨论了P型半导体和N型半导体之间的差异。
什么是p型半导体和n型半导体?
下面讨论p型和n型的定义及其区别。
一旦将三价杂质原子如铟,镓添加到本征半导体中,可以定义p型半导体,然后称为p型半导体。在该半导体中,大多数电荷载体是孔,而少数电荷载体是电子的。孔的密度高于电子密度。接受水平主要在价带附近。
一旦偏离杂质原子如Sb,就可以被添加到内在半导体中,可以定义n型半导体,然后称为n型半导体。在该半导体中,大多数电荷载波是电子,而少数电荷载流子是孔。电子密度高于孔的密度。捐赠水平主要位于导电带较近。
p型半导体和n型半导体的区别
p型半导体和n型半导体之间的差异主要包括不同因素即载流子的多数与少数、掺杂元素、掺杂元素的性质、载流子的密度、费米能级、能级、多数载流子的运动方向等。这两者之间的差异列在下面的表格中。
P型半导体 | n型半导体 |
p型半导体可以通过添加三价杂质形成 | n型半导体可以通过添加五价杂质形成 |
一旦加入了杂质,就会产生空穴或电子空位。所以这被称为受体原子。 | 一旦添加杂质,那么它就会提供额外的电子。所以这被称为捐助原子。 |
III组元素是GA,AL,IN等 | V族元素是As、P、Bi、Sb等。 |
大多数电荷载体是孔和少数竞争载体是电子的 | 多数电荷载体是电子和少数竞争载体是孔 |
p型半导体的费米能级主要位于受体能级和价带能级之间。 | n型半导体的费米能级主要位于给体能级和导带能级之间。 |
空穴密度比电子密度高(nh >> ne) | 电子密度比空穴密度高(ne >> nh) |
多数电荷载体的浓度更多 | 多数电荷载体的浓度更多 |
在p型中,受体的能级靠近价带和传导带中的不存在。 | 在n型中,供体能级在导带附近,不在价带附近。 |
大多数费用载体的运动将从高潜力到低位。 | 大多数费用载体的运动将从低潜力到高。 |
当空穴浓度高时,这种半导体携带+Ve电荷。 | 该半导体优选携带-Ve电荷。 |
该半导体孔的形成称为受体 | 该半导体中电子的形成称为受体 |
p型的电导率是由于大量载流子(如空穴)的存在 | n型的电导率是由于电子等多数载流子的存在。 |
常见问题
1). p型中使用的三价元素是什么?
它们是Ga、Al等。
2)。n型中使用的五价元素是什么?
它们是As P Bi Sb
3). p型孔的密度是多少?
孔密度高于电子密度(NH >> NE)
4). n型的电子密度是多少?
电子密度大于空穴密度(ne>>nh)
5).半导体有哪些类型?
它们是内在和外部半导体
6).外部半导体有哪些类型?
它们是p型半导体和n型半导体。
因此,这就是p型半导体和n型半导体的主要区别半导体。在n型中,多数载流子具有-ve电荷,因此称为n型。同样,在p型中,在没有电子的情况下可以形成一个+ve电荷的结果,因此称为p型。这两种半导体掺杂材料的不同之处在于电子在沉积半导体层中的流动方向。这两种半导体都是导电的良导体。这里有个问题,p型和n型中多数载流子的运动是什么?