什么是pn-结二极管的膝关节电压

一种PN结二极管是非线性组件，它由两个接线组成，即大多数和少数屈光度载流子像电子和孔都存在的p曲线和n结。它也被称为半导体二极管或PN结二极管。该二极管包括两个端子，即阳极和阴极，其中p型半导体是阳极（正电压），n型半导体是阴极（负电压）。二极管中的电流流动仅在一个方向上，因为它在具有高电阻的另一个方向上相对。本文概述了二极管的膝关节电压是多少？及其特点。

什么是膝盖电压？

在前瞻性特征二极管一旦施加电压，则结合开始迅速增加。它被称为膝膝部电压和替代名称的电压。

在二极管的前向特征中，如果我们注意到图形表示，导电开始迅速增加，看起来像或腿部，但技术上，它被称为下面讨论的电压。

PN结二极管特性

PN结二极管VI特性仅仅是二极管中的二极管中的电流的流程和二极管的两个端子的施加电压之间的曲线。二极管的特性分成两个划分，如转发特性和反向特征。

前锋特征

在转发偏压中的二极管布置如下所示。通过使用该电路，可以获得正向偏置特性。可以通过将p结连接到正端子和n个连接到负端子来完成前向偏置连接电池。在这种布置中，大多数电荷载体是孔和少数竞争载流子是电子的。

当PN结二极管连接在使用电池的转发偏压中时，其中P结连接到电池的A + VE端子，并且N结连接到电池的-VE端子。这种布置被称为二极管的正向偏置。在这种布置中，二极管由于其在欧姆范围内的较低的电阻而设计为短路。这意味着在这种偏差中的电流流量非常容易。

在二极管的上述特征中，当二极管上的电压增加时，电流将增加。如果我们在图中注意到，二极管电流非常小到设定点。电压是朝向阻挡电位的交叉，二极管电流快速升高，二极管大大执行。该电流流动将增加的阻挡电压被称为膝膝部电压。'Si'二极管的膝盖电压值为0.7伏，为'GE'二极管，它将为0.3

膝关节电压公式

这CT的膝部点电压可以使用以下公式计算。

VKP = K * IF / CTR X（RCT + RL + RR）

在哪里，

k =常数，通常被视为2.0

VKP =最小的膝尖电压

如果=在安培中的位置的最大故障电流

CTR = CT比率

RCT = CT中的次级绕组电阻欧姆

RL =双向铅电阻在欧姆中

rr =欧姆中的继电器负担

齐纳二极管的膝盖电压

在前向偏见齐纳二极管一旦阳极端子处的电压优于阴极上的膝部电压（阈值电压），那么它就会传导电流。电流从阳极流到阴极。即使，当该二极管被认为是在反向偏置时转发偏置和开路的短路。现实，当二极管是向前偏置时，它在外部电路命令时执行电流，并改变其内部电阻，使其跨电压降低为0.7V。

膝关节电压和击穿电压之间的差异

膝关节电压和击穿电压之间的主要区别包括以下内容。

在PN结期间的电流流动开始迅速增加的正向电压被称为膝盖电压。该电压也称为切口电压。该电压是最小的反向电压，在不损害电流的情况下，PN结可能的最小反向电压。

它是曲线的正向偏置内的位置，无论导电都开始快速升高PN结二极管。

二极管的击穿电压可以定义为最小反向电压，用于使二极管反向使二极管执行。击穿电压是描述最高反向电压的二极管的因子。可以使用该电压而不会影响二极管的电流中的指数上升。

硅和锗的膝盖电压

硅和锗的膝关节电压值包括以下内容。

硅（Si）二极管是0.7V

锗（GE）二极管是0.3 V

LED的膝盖电压

一旦发光二极管连接到正向偏置中的外部电压，PN结的电位屏障高度将减小。这种精确的电压称为LED的膝盖电压。当实现该电压时，电流流可以升高，但电压不变。

因此，这是关于膝盖的电压击穿电压之间的差异。我们希望您对这一概念更好地了解。此外，有关任何技术信息的任何疑问，请通过评论以下评论部分提供反馈。这是一个问题，如何从图中找到膝关节电压？