RAM内存组织和它的内存类型

存储器是用于存储用于控制的信息的微控制器或CPU的重要组成部分电子项目。在内部，内存被分为几个部分，这些部分由帮助存储数据的特殊类型的寄存器组成。有两种类型的内存，如RAM内存和ROM内存，在许多两种可用的方式相似。这里我们将讨论8051的RAM内存组织和它的寄存器。这个信息对…很有帮助嵌入式系统设计容易编写程序。

8051微控制器的RAM内存组织：

8051微控制器有256个字节的RAM内存，其分为两种方式，例如128字节特殊功能寄存器(SFR)和128字节的通用内存。内存组织中包含一组通用登记册用于将信息存储使用固定内存地址寄存器，SFR存储器包含所有外围相关寄存器，如“B”寄存器，累加器，计数器或定时器和中断相关寄存器。

RAM记忆组织：

RAM存储器中的一组存储位置称为RAM存储器组织，可以由PSW寄存器值控制。8051微控制器内部划分为一组存储位置的RAM存储器，如银行、位可寻址区和刮板区。

银行:

银行包含各种通用寄存器，如R0-R7，所有这些寄存器都是字节寻址寄存器，只存储或删除1字节的数据。银行分为四个不同的银行，如;

• Bank0
• Bank1
• Bank2
• Bank3

每个银行都包含8通用寄存器，并拥有自己的地址来分类存储的信息。可以使用PSW寄存器的值（i，e，rs1，Rs0）来选择这些。Bank1，Bank2，Bank3可以用作堆栈指针区域。每当堆栈内存组织已满时，划痕焊盘区域中的数据存储。堆栈指针的默认地址为07h。

位可寻址区域：

位可寻址区由位可寻址寄存器组成，该寄存器只存储或删除1位数据。这个区域从00h到07Fh共有128个地址，代表数据存储位置。位可寻址区在靠近寄存器组的地方形成。它们从地址20H设计到地址2FH。位可寻址区主要用于存储位变量申请计划，如设备输出状态，如LED或电机（开关）等。只需要位可寻址区域来存储此状态。如果我们考虑将此状态存储此状态的字节可寻址区域，则将浪费一些内存。

划痕垫区：

Scratch pad区域由字节可寻址寄存器组成，该寄存器仅存储或删除1位数据。它在位可寻址区域附近形成。形成时间为30H ~ 7FH。Scratch pad区域主要用于存储来自应用程序的字节变量，如打印设备输出状态，如电机方向(前进和后退)等。每当堆栈指针区域已填满，然后数据将存储在scratch pad区域。Scratch pad区域由80字节的内存组成。

随机存取存储器的类型:

RAM记忆分为两个记忆的类型如SRAM和DRAM内存。

SRAM(静态随机存取存储器):

只要提供电源，静态随机存取存储器是一种RAM，其在其存储器中保留信息。静态RAM提供更快的数据访问权限，与DRAM相比更昂贵。SRAM不需要定期刷新。

在SRAM中，每个比特都存储在由两个交叉耦合逆变器组成的四个晶体管中。两个额外的晶体管 - 类型提供在读写操作期间控制对存储单元的访问。通常，SRAM使用六个晶体管存储每个存储器位。这些存储单元具有两个稳定的状态，用于表示'0'和'1'。

DRAM(动态随机存取存储器):

DRAM是一种RAM模块，可以存储单独的电容器内的每位数据。这是将数据存储在内存中的熟练方式，因为它需要更少的物理空间来存储数据。

DRAM可以通过特定的芯片尺寸持有更多的数据。DRAM中的电容需要不断充电以保持其充电，因此，DRAM需要更多的功率。

每个DRAM内存芯片由一个存储单元或存储单元组成。它是由电容和晶体管组成的，可以保持活跃或非活跃状态。每个DRAM单元被称为一个位。

当DRAM细胞处于活动状态时，电荷处于高状态。当DRAM细胞处于非活跃状态时，电荷低于一定水平。

缓存内存Orgonization:

缓存存储器是一种存储器类型，用于将常用数据从主存储器位置保持。缓存存储器靠近CPU放置。缓存存储器从00h开始到0FH。缓存内存相对较小，包括8K和16K，但它有效地工作。它是一个字节可寻址内存，它存储并仅删除1位数据。CPU需要指令时，从主存储器中填充的高速缓冲存储器。高速缓冲存储器主要用于将平均时间缩小到访问存储器。

SRAM＆DRAM优势和应用：

SRAM的优点:

• SRAM在片上存储器上提供了很大的存储容量
• 通常SRAM具有非常低的延迟和高性能
• 与其他存储器相比，它的设计和接口都非常简单

DRAM的优势：

• 存储容量非常高
• 它是一种低成本、高性能的器件。

本文简要介绍了有关8051微控制器，RAM存储器类型，银行寄存器和缓存内存组织的内存组织的简要信息。有关记忆组织和您的技术帮助的更多信息基于微控制器的项目，您可以通过在下面的评论部分发布您的评论来接近我们。