达林顿晶体管与应用一起工作

达林顿晶体管术长从Inventner的名字Sidney Darlington命名。达林顿晶体管由两个pnp或npn通过连接一起bjts。PNP晶体管的发射极连接到另一个PNP晶体管的基极，以在许多应用中使用具有高电流增益的敏感晶体管，其中切换或放大至关重要。达林顿晶体管中的晶体管对可以形成有两个单独连接的BJT。正如我们所知，晶体管用作开关除了放大器，BJT可用于作为ON / OFF Switch.Darlington晶体管运行

达林顿晶体管

该晶体管也称为Darlington对，包含两个BJT，其连接以从低基极电流提供高电流增益。在该晶体管中，I / P晶体管的发射极连接到晶体管基部的O / P，并且晶体管的收集器一起连接在一起。因此，I / P晶体管甚至通过O / P晶体管进一步放大电流。Darlington晶体管通过功耗，最大CE电压，极性，MIN分类为不同类型的类型直流电流包装的增益和类型。最大CE电压的常见值为30V，60V，80V和100V。达林顿晶体管的最大CE电压为450V，功耗可在200mW至250mW的范围内。

达林顿晶体管的工作

达林顿晶体管用作具有高电流增益的单个晶体管，这意味着少量电流是从微控制器使用或者传感器运行更大的负载。例如，下面解释以下电路。下面的Darlington电路采用电路图所示的两个晶体管构建。

目前的收益是多少？

电流增益是晶体管最重要的特征，并且用HFE表示。当达林顿晶体管接通时，当前电源通过负载到电路

负载电流= I / P电流x晶体管增益

每个晶体管的当前增益都有所不同。对于正常晶体管，电流增益通常为约100.因此可用于驱动负载的电流大于晶体管的I / P的100倍。

在某些应用中，在晶体管上接通晶体管的I / P电流的量低。因此，特定晶体管不能向负载提供充足的电流。因此，负载电流等于I / P电流和晶体管的增益。如果无法增加输入电流增加，则需要增加晶体管的增益。这个过程可以通过使用达灵顿对来完成。

达林顿晶体管包含两个晶体管，但它用作单个晶体管，具有等于的电流增益。如果您有两个具有相似电流增益的晶体管，则总电流增益等于晶体管1和晶体管的电流增益。

我们知道，总电流增益（HFE）= Transisotr1（HFE1）X电流增益的电流增益晶体管2（HFE2）

100x100 = 10,000.

您可以在上面观察到，它与单个晶体管相比，它会产生大量增加的电流增益。因此，这将允许低I / P电流切换巨大的负载电流。

通常，打开晶体管，晶体管的基极I / P电压必须更大（>）而不是0.7伏。在达林顿晶体管中，使用两个晶体管。因此基极电压将加倍0.7×2 = 1.4V。当Darlington晶体管接通时，发射器和收集器上的电压降为约0.9V。因此，如果电源电压为5V，则负载上的电压将是（5V - 0.9V = 4.1V）

达林顿晶体管的结构

达林顿晶体管的结构如下所示。例如，我们在这里使用了NPN对晶体管。两个晶体管的收集器连接在一起，并且晶体管TR1的发射极能为TR2晶体管的基极端子能量。该结构达到β乘法，因为对于基础和集电极电流（IB和β。IB），其中当前增益大于定义为的Unity

IC = IC1 + IC2
ic =β1.ib+β2.ib2

但是晶体管Tr1的基准电流等于IE1（发射极电流），并且TR1晶体管的发射极连接到晶体管Tr2的基座端子

IB2 = IE1
= IC1 + IB
=β1.ib+ IB
= IB（β1+ 1）

将此IB2值替换为上述等式

IC =β1.ib+β2。IB（β1+ 1）
IC =β1.ib+β2。IBβ1+β2。IB.

=（β1+（β2.β1）+β2）。IB.

在上面的等式中，β1和β2是单个晶体管的增益。

这里，第一晶体管的整体电流增益乘以由β指定的第二晶体管，并且将几个双极晶体管组合以形成具有非常高的I / P电阻和β值的单个达林顿晶体管

达林顿晶体管应用

该晶体管用于在低频率下需要高增益的各种应用中。一些应用是

• 功率调节器
• 音频放大器O / P级
• 控制电机
• 显示驱动程序
• 控制螺线管
• 光线和触摸传感器。

这一切都是关于达林顿晶体管使用应用程序。我们相信您对这一概念有更好的了解。此外，关于本主题或的任何疑问电子项目，请通过评论下面的评论部分来提供反馈意见。这是一个问题，达林顿晶体管的主要功能是什么？

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