晶体管放大器-电路图及其工作原理

晶体管是三个端子半导体器件，并且终端是E（发射器），B（基座）＆C（收集器）。晶体管可以在三个不同区域中工作，如有源区，截止区域和饱和区域。晶体管在截止区域工作时被关闭，在饱和区域工作时被打开。当晶体管工作在有源区域时，它就像放大器一样工作。主要功能a晶体管放大器就是在不改变太多的情况下增强输入信号。这篇文章讨论了晶体管如何作为放大器工作。

晶体管作为放大器

放大器电路可以定义为一种用来放大信号的电路。放大器的输入是电压或者电流，输出是放大器的输入信号。一个使用晶体管的放大器电路，否则晶体管被称为晶体管放大器。该晶体管的应用放大电路主要涉及音频、无线电、光纤通信等领域。

该晶体管的配置分为三种类型，如CB（公共基础），CC（公共集电器）和CE（公共发射器）。但是常见的发射器配置通常在应用程序中使用音频放大器。由于在CB配置中，增益为<1，并且在CC配置中，增益几乎相当于1。

一个好的晶体管的参数主要包括不同的参数，即高增益、高扭转率、高带宽、高线性、高效率、高i/p阻抗和高稳定性等。

晶体管作为放大器电路

晶体管可用作一个放大器通过提高信号的强度弱。在以下晶体管放大器电路的帮助下，可以了解晶体管电路如何用作放大器电路的想法。

在下面的电路中，输入信号可以在发射极基结中施加，并在收集电路中连接的RC负载的输出之间。

为了准确放大，始终记住输入在正向偏置中连接，而输出连接在反向偏置中。因此，除了信号之外，我们还在输入电路中应用DC电压（VEE），如上面的电路所示。

通常，输入电路包括低电阻;在输入的信号电压下会发生一些变化，这导致发射极电流内的显着变化。由于晶体管作用，发射极电流变化将在收集电路内引起相同的变化。

目前，集电极电流通过Rc产生一个巨大的电压。因此，施加在输入电路的微弱信号将以放大的形式输出到输出端的集电极电路。在这种方法中，晶体管起放大器的作用。

公共发射器放大器电路图

在大多数电子电路，我们通常使用NPN晶体管称为NPN晶体管放大器电路的配置。让我们考虑一个分压器偏置电路，该电路通常称为单级晶体管放大器电路。

基本上，偏置布置可以用两个晶体管（如电位）构建分频器网络跨电压供应。它通过晶体管的中点为晶体管提供偏置电压。这种类型的偏置主要用于双极晶体管放大器电路设计。

在这种偏置中，晶体管将通过将基座偏置保持在恒定的稳定电压级上并允许精确的稳定性来降低电流放大效应因子'β'。VB（基极电压）可以用潜在分压器网络。

在上述电路中，整个电阻将等于两个的量电阻像R1＆R2一样。两个电阻器结的产生电压电平将在电源电压下保持恒定的基极电压。

以下公式是简单的分压器规则，它用于测量参考电压。

vb =（vcc.r2）/（r1 + r2）

当晶体管处于饱和模式时，类似的电源电压也决定了最大集电极电流。

公共发射极电压增益

共发射极电压增益等效于输入电压比内的修正与放大器o/p电压内的修正。把Vin和Vout看作ΔVB。＆δvl

在电阻条件下，电压的增益将相当于集电极内的信号电阻比朝向发射器内的信号电阻。

电压增益=VOUT / VIN =ΔVL/ΔVB= - RL / RE

通过使用上述等式，我们可以简单地确定公共发射极电路电压增益。我们知道双极晶体管包括微小的内部抵抗性内置到他们的发射器部分是' Re '。当内部发射极电阻与外部电阻串联时，定制的电压增益方程如下:

电压增益= - RL /（RE + RE）

在低频时发射极电路中的整个电阻将等于内阻和外阻的数量+再保险。

对于该电路，高频和低频的电压增益包括以下内容。

高频电压增益为= - RL / RE

低频电压增益为- RL /（RE + RE）

利用上述公式，可以计算出放大电路的电压增益。

因此，这一切都是关于晶体管放大器。最后，从以上信息，我们可以得出结论，晶体管只有在适当偏置的情况下才能像放大器一样工作。高增益、高带宽、高扭转率、高线性度、高i/p阻抗、高效率和高稳定性是一个好的晶体管的几个参数。我有个问题问你，什么是3055晶体管放大器？